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一种近阈值电压标准单元特征化建库方法
DOI:
作者:
作者单位:

1.湖南大学;2.中国科学院微电子所

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基金项目:

国家自然科学基金(61306039)湖南省自然科学基金(2016jj2028)


A characterization method for standard cell library at near-threshold voltage
Author:
Affiliation:

1.Hunan University;2.Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Fund Project:

National Natural Science Foundation of China (61306039) Natural Science Foundation of Hunan Province (2-16jj2028)

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    摘要:

    近阈值技术是当前最有效的极低功耗设计方法,然而,随着电压降低到近阈值附近,标准单元的延时呈指数值变大,导致传统的库文件查找表设计存在极大误差。基于此,本文针对查找表边界及规模进行深入分析,提出一种近阈值电压下标准单元库特征化方法。基于该方法对0.6v smic55nmCMOS工艺的库文件进行特征化,并进行误差评估,验证结果表明,该方法相对于传统方法建立的库文件,其准确性提高16-63.51%。

    Abstract:

    The near-threshold technique is the most effective method for very low power consumption today. However, the delay of the standard cell would increase exponentially as the voltage drops lower than the threshold, resulting in a significant error in the conventional look-up table design. We analyze the boundary and size of look-up table in detail in this report, and then propos a method to solve that problem happening around at threshold voltage in the standard cell library. Based on our research works, the library file of 0.6v smic55nmCMOS technology has been characterized and evaluated. The verification results also demonstrate that the accuracy of our method has been improved 16-63.51% comparing with traditional methods.

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  • 收稿日期: 2018-03-14
  • 最后修改日期: 2018-06-13
  • 录用日期: 2018-07-25
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