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SRAM单粒子效应检错电路研究与设计
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Research and Design of SRAM Error Detection Circuit Based on Single Event Effect
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    摘要:

    为了解决单粒子效应引起的航天器静态随机存取存储器数据出错难题, 本文研究了基于错误检查纠正电路和完整性检测器相结合的静态随机存取存储器在线检测错误方法及电路实现技术.其中,错误检查纠正电路采用(39,32)汉明码设计,实现数据访问时单比特错误自动检错与纠错.完整性检测器基于哈希函数校验原理设计,实现对数据周期性循环检查. 基于CMOS 0.18 μm工艺设计实现数据在线检错电路.仿真结果表明,该电路能够主动周期性对内存数据进行检查,修复单比特错误和检测出多比特错误,有效提高数据的可靠性.

    Abstract:

    To solve the problem of spacecraft static random access memory data error caused by single event effect, the static random access memory online error detection method and circuit implementation technology, based on the combination of error checking and correcting circuit and integrity detector, are studied in this paper. The error checking and correcting circuit is designed using (39,32) Hamming code to realize automatic error detection, and error correction of volatile single-bit when data is accessed. The integrity detector is designed based on the principle of hash function verification to realize periodic cyclic checking of data. Data online error detection circuit is fabricated in CMOS 0.18 μm process. Simulation results show that the circuit can actively periodically check the memory data, correct single-bit errors and detect multi-bit errors, and effectively improve data reliability.

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白创 ,李云杰 ?. SRAM单粒子效应检错电路研究与设计[J].湖南大学学报:自然科学版,2025,52(12):197~205

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  • 在线发布日期: 2026-01-06
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