串并联变频电路的低频寄生振荡与升压比

串并联变频电路的低频寄生振荡与升压比
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本文分析了可控硅中频电源串并联变频电路低频寄生振荡的产生机理,得出不起振的条件,并提出防止振荡的可靠措施。在此基础上,论述了由低压电网供电的中等功率可控硅中频熔炼炉较合理的电压等级。

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参考文献

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引证文献

彭永进,费炳铨.串并联变频电路的低频寄生振荡与升压比[J].湖南大学学报：自然科学版,1979,7(3):

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