早在1976年初,W.E.Spear等人已制成非晶态硅(a—si)p—n结。本文是探讨建立一种与之相应的静态理论,在隙态密度分布函数未知的情况下,利用积分中值定理,并对p—n结能带的性质作了适当假定之后,就达到了预期的目的。结果表明,在轻掺杂情形下,这种理论与晶体p—n结突变结理论在数学形式上仅差一个因子。
颜一凡.非晶态半导体硅p-n结[J].湖南大学学报：自然科学版,1979,7(4):
