非晶态硅P—N结电流与偏压关系

非晶态硅P—N结电流与偏压关系
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本文的主要目的是证明:晶体结与非晶结的电流—电压特性可以在数学上写成相似的形式.它们之间的差别,可以用不同的"饱和电流"与不同的"理想因子"来表示.并且指出,这些差别在物理上是由于偏压对隙态电荷占领的影响,亦即偏压改变了本征势垒的高度和产生—复合率,所得的结果基本上是与实验一致的.

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参考文献

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引证文献

颜一凡.非晶态硅P—N结电流与偏压关系[J].湖南大学学报：自然科学版,1981,8(4):

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