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等价的非晶硅隙态密度分布
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The Equivalent Distribution of the Gap State Density of a-Si
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    本文证明:在某些条件下,描述非晶硅隙态密度的三种基本分布模型,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算非晶硅隙态过剩电子密度、解金属/非晶硅势垒区泊松方程和计算势垒区静态电容时是等价的。这就暗示不能从上述分析确定唯一的非晶硅隙态密度分布形式。

    Abstract:

    In this paper we shall demonstrate that under certain conditions the three basis distribution models to describe the gap state density of a-Si,i.e.uniform distribution,exponential distribution and hyperbolic distrition are all equivalent,for calculating t

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颜一凡,唐元洪.等价的非晶硅隙态密度分布[J].湖南大学学报:自然科学版,1988,15(2):

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