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金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布
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The Equivalent Distribution of Gap State Density in Low Frequency Capacitance of M/a-Si Barrier
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    本文证明:在一定条件下,描述非晶硅隙态密度分布的三种基本函数,即均匀分布、指数分布和双曲分布,在计算金属/非晶硅势垒低频电容时也是等价的.并通过测量室温时低频势垒电容,得到了隙态密度分布函数模型等价的标准.

    Abstract:

    In this paper we demonstrate that under certain conditions the three basic distribution function models to describe the gap state density of amorphous silicon (a-Si), i.e. uniform distribution, exponential distribution and hyperbolic distribution are also

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唐元洪.金属/非晶硅势垒低频电容中等价的隙态密度分布[J].湖南大学学报:自然科学版,1990,17(4):

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