张益才.PIN管正偏注入的载流子在Ⅰ层中分布的研究[J].湖南大学学报:自然科学版,1992,19(2):
PIN管正偏注入的载流子在Ⅰ层中分布的研究
Study on Distribution of Injected Carrier Densities in the I-Layer of a Forward Biased PIN Diode
  
DOI:
中文关键词:  电子浓度,空穴,载流子注入/PIN二极管,电中性近似,准中性条件
英文关键词:electron density,hole,carrier injection/PIN diode,charge neutrality approximation,quasi-neutrality condition
基金项目:
张益才
湖南大学应用物理系
摘要点击次数: 858
全文下载次数: 137
中文摘要:
      本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解电子和空穴的连续性方程,导出这两种浓度都按扩散距离的负指数函数在Ⅰ层中分布.这样,其载流子一载流子散射效应可忽略不计,其俄歇复合较小,比用电中性近似求得的载流子分布的俄歇复合要小许多倍.
英文摘要:
      This paper thinks that. there is no charge neutrality approximation in the I-layer wherever the electron density is equal to the hole density. These two kinds of densities in the I-layer of a forward biased PIN diode will be decreased with the increasing
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭