+高级检索
PIN管正偏注入的载流子在Ⅰ层中分布的研究
DOI:
作者:
作者单位:

作者简介:

通讯作者:

基金项目:


Study on Distribution of Injected Carrier Densities in the I-Layer of a Forward Biased PIN Diode
Author:
Affiliation:

Fund Project:

  • 摘要
  • |
  • 图/表
  • |
  • 访问统计
  • |
  • 参考文献
  • |
  • 相似文献
  • |
  • 引证文献
  • |
  • 资源附件
    摘要:

    本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解电子和空穴的连续性方程,导出这两种浓度都按扩散距离的负指数函数在Ⅰ层中分布.这样,其载流子一载流子散射效应可忽略不计,其俄歇复合较小,比用电中性近似求得的载流子分布的俄歇复合要小许多倍.

    Abstract:

    This paper thinks that. there is no charge neutrality approximation in the I-layer wherever the electron density is equal to the hole density. These two kinds of densities in the I-layer of a forward biased PIN diode will be decreased with the increasing

    参考文献
    相似文献
    引证文献
文章指标
  • PDF下载次数:
  • HTML阅读次数:
  • 摘要点击次数:
  • 引用次数:
引用本文

张益才. PIN管正偏注入的载流子在Ⅰ层中分布的研究[J].湖南大学学报:自然科学版,1992,19(2):

复制
历史
  • 收稿日期:
  • 最后修改日期:
  • 录用日期:
  • 在线发布日期:
  • 出版日期:
作者稿件一经被我刊录用,如无特别声明,即视作同意授予我刊论文整体的全部复制传播的权利,包括但不限于复制权、发行权、信息网络传播权、广播权、表演权、翻译权、汇编权、改编权等著作使用权转让给我刊,我刊有权根据工作需要,允许合作的数据库、新媒体平台及其他数字平台进行数字传播和国际传播等。特此声明。
关闭