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巨型功率晶体管场限环研究
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Investigation of Field Limiting Rings in GTR
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    通过解联立一维泊松方程得到了场限环结构的电场和电位分布.讨论了环间距、环宽、N-掺杂浓度、结深和表面电荷密度等参数的影响,得出了归一化击穿电压和环间距计算值.用这些计算值可以推算多环间结构的击穿电压和作为场限环设计的依据.

    Abstract:

    By solving two coupled one-dimensional poisson equations,the field and potential distributions between, rings are obtained-The influence of the device parameters such as ring spacing ring width, N-doping concentration,junction depth and surface charge den

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万积庆.巨型功率晶体管场限环研究[J].湖南大学学报:自然科学版,1993,20(3):

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