等离子增强型化学气相淀积氮化硅是目前器件难一能在合金化之后低温生长的氮化硅。本文研究了各种淀积参数对薄膜性能的影响,提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件,对折射率随生长速率而变化给出了新的解释。
唐元洪.等离子增强型化学气相沉积氮化硅的淀积[J].湖南大学学报:自然科学版,1996,23(1):