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邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴
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湖南省自然科学基金


Determination of Trace Cobalt in Ternary Complex System with Phen Chemically Modified Carbon Paste Electrode
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    制备了邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极,在含噻吩甲酰三氟丙酮的HAc-NaAc体系中,Co(Ⅱ)离子经化学富集在电极表面上形成三元络合物.采用2.5次微分伏安法测定痕量Co(Ⅱ)离子.Co(Ⅱ)浓度在8.0×10-9~7.0×10-7mol·L-1范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系,检出限达1.2×10-9mol·L-1.电极用于水样中钴的测定,结果令人满意.

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黄杉生,许岩,程翼达.邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴[J].湖南大学学报:自然科学版,1998,25(5):

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