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1.8 GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计
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湖南省自然科学基金资助项目(05JJ30115)


Design of a 1.8 GHz Wide-Band,Low-Phase-Noise CMOS VCO
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    采用一种基于开关电容阵列(SCA)和尾电流源处加入电感电容滤波相结合的电路结构,设计了一个1.8 GHz宽带分段线性压控振荡器.采用TSMC 0.18μm 1P6MCMOS RF工艺,利用Cadence SpectreRF完成对电路进行的仿真.结果显示,在电源电压VDD=1.8 V时,控制电压范围为0.6~1.8 V,频率的变化范围为1.43~2.13 GHz,达到39%,相位噪声为-131 dBc/Hz@1MHz,功耗为9.36 mW(1.8 V×5.2 mA).很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾.

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曾健平,章兢,谢海情,刘利辉,曾云.1.8 GHz宽带低相位噪声CMOS压控振荡器设计[J].湖南大学学报:自然科学版,2007,34(6):

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