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一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源
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A New High Precision Low Voltage CMOS Bandgap Reference
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    为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用 SMIC 0.18 μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5 V,温度系数为8 ppm/℃,电源抑制比达到-130 dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.

    Abstract:

    The offset voltage of the OP directly influences the precision of the output voltage reference. To cancel the offset voltage, this paper adopts NPN to produce ΔVbe and designs a new feedback loop structure to produce a low voltage bandgap reference. The circuit is designed in SMIC 0.18 μm CMOS process. The temperature coefficient of this low voltage bandgap reference is 8 ppm/℃.The PSRR is -130 dB and the design output voltage is 0.5 V. The circuit has been successfully applied at a high speed, 16 bit ADC.

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陈迪平,吴 旭,黄嵩人,季惠才,王镇道.一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源[J].湖南大学学报:自然科学版,2012,39(8):48~51

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