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一种超低温漂的带隙基准电压源
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An Ultra-low Temperature Coefficient Bandgap Voltage Reference
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    摘要:

    为提高带隙基准电压源的温度特性,采用Buck电压转移单元产生的正温度系数对VBE的负温度系数进行高阶曲率补偿.同时使用共源共栅结构(Cascode)提高电源抑制比(PSRR).电路采用0.5 μm CMOS工艺实现,在5 V电源电压下,基准输出电压为996.72 mV,温度范围在-25~125 ℃时电路的温漂系数为1.514 ppm/℃;当电源电压在2.5~5.5 V变化时,电压调整率为0.4 mV/V,PSRR达到59.35 dB.

    Abstract:

    In order to improve the temperature characteristics of bandgap voltage reference, this paper took advantage of Buck's voltage transfer cell generating a positive temperature coefficient to provide a high-order curvature compensation of VBE. And Cascode structure was used to improve the power supply rejection ratio (PSRR). The circuit was simulated in 0.5 μm CMOS process. The output voltage of bandgap reference is 996.72 mV under 5 V supply available, and a temperature coefficient of 1.514 ppm/℃ can be achieved over the temperature varying from -25 to 125 ℃. The PSRR reaches 59.35 dB and an average line regulation reaches 0.4 mV/V when power supply changes from 2.5 to 5.5 V.

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邱玉松,曾 云,濮亚男.一种超低温漂的带隙基准电压源[J].湖南大学学报:自然科学版,2013,40(Z1):1~5

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