赵立华 王祝盈
本根据Ｓｉ（１１１）－７×７表面结构的ＤＡＳ，从微观上分析了氢原子在这种表面上的吸附行为，提示了二级脱附的指数前因子与温度的关系，对不同的表面初始覆盖度，导出了新的脱附方程，在计算机上用这个方程进行模拟，得到了与实验结果一致的模拟脱附谱。
赵立华 王祝盈.氢原子在Si（111）—7＊7表面上吸附与脱附的模拟分析[J].湖南大学学报：自然科学版,1994,21(4):
