曾云 尚玉全 晏敏 盛霞 滕涛 高云
ZENG Yun,SHANG Yu-quan,YAN Min,SHENG Xia,TENG Tao,GAO Yun
提出了双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的高频等效模型,定性分析了BJMOSFET的各种寄生电容及其影响,利用PSPICE9器件库中现有的元器件建立BJMOSFET频率特性模拟分析的等效电路,通过提取模型参数,运用电路模拟软件PSPICE9的多瞬态分析法对。BJMOSFET的频率特性进行了模拟仿真,与相同结构参数和同等外界条件的传统MOSFET比较,BJMOSFET具有较小的总电容、较宽的通频带、良好的小信号瞬态特性和很小的大信号失真,证明了BJMOSFE比MOSFET具有更好的频率响应特性。
曾云 尚玉全 晏敏 盛霞 滕涛 高云. BJMOSFET频率特性的模拟分析[J].湖南大学学报:自然科学版,2005,32(1):