贺梦冬,余剑敏,翟翔,王玲玲
教育部高等学校博士学科点专项基金资助项目 , 湖南省教育厅基金资助项目 , 中南林业科技大学青年基金资助项目 , 湖南省自然科学基金资助项目
采用转移矩阵方法,研究了含三元合金缺陷层(AlxGa1-xAs)有限超晶格(GaAs/AlAs)中的界面声子-极化激元模性质.结果表明,这种有限超晶格中的声子-极化激元模在剩余射线区[ωTO,ωLO ] 的分布依赖于缺陷层含Al的浓度x,部分类 GaAs(AlAs)声子-极化激元模随着浓度x的增加向低(高)频区移动.此外,而且还可以清晰地看到它们在局域模、表面模和扩展模之间的演变.还发现声子-极化激元模的分布随着组份层和缺陷层厚度的改变,其局域位置和特性发生显著变化.
贺梦冬,余剑敏,翟翔,王玲玲.含三元合金缺陷层有限超晶格中的界面声子-极化激元模[J].湖南大学学报:自然科学版,2008,35(12):