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高速低功耗CAM核心电路的设计
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湖南省自然科学基金


Design of High-Speed and Low-Power Nuclear Circuit in CAM
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    设计了一种新型高性能的CAM(content addressable memory)单元.将差分互补电路应用于CAM存储单元的比较电路中,得出差分互补CAM存储单元,并对预充电电路、放大电路进行设计.电路采用0.18 μm CMOS标准工艺来实现,在HSPICE的平台下进行仿真.仿真结果表明,对于64×64的差分互补CAM,最快的比较时间为331 ps,最慢比较时间为762 ps,总的功耗为17.8 mW.

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张红南,黄雅攸,殷蔚,王松,张卫青,孔青荣.高速低功耗CAM核心电路的设计[J].湖南大学学报:自然科学版,2008,35(9):

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