基于SOI薄膜，提出一种引入P^＋N注入结的光敏BJMOSFET（Bipolar Junction Metal—Oxide—Semiconductor Field Effect Transistor）结构．在此光敏器件中，栅电压使薄膜耗尽但不反型，光生载流子的复合可以忽略．根据基本的半导体方程，建立该器件的物理模型．数值模拟结果显示：在光敏BJMOSFET中，光生电子和空穴都参与导电，和传统的MOS管相比具有较高的灵敏度．此外，它能消除CMOS工艺下PN结大的暗电流，完全与CMOS工艺兼容．