摘要:用玻色子1／N展开技术研究了6个钨同位素的能谱和约化电磁跃迁概率B(E2)．结果表明，展开式的高阶项十分重要，6个核的能级能量的理论值和实验值的方均根差，最大的是154keV，最小的只有11keV，符合得令人满意．而且理论能正确地符合实验方面跃迁概率的“回弯”现象．

摘要:用１／Ｎ展开法加上自洽Ｑ框架的ｓｄＩＢＭ１研究比Ｈｆ更重一些的中等质量核的Ｈｇ的同位素的能谱，计算了＾１８６Ｈｇ基带的几个Ｂ（Ｅ２）值，有一定程度的符合，高激发态符合得较好，特别是能正确反映出Ｂ（Ｅ２）值随能级谱化的趋势，而且只用了很少的可调参数去拟合大量数据，注意到值随能级变化的趋势，而且只用了很少的可调参数去拟合大量数据。注意到Ｈｇ核的质子数Ｚ＝８０，很接满壳层，可见１／Ｎ展开展理论适用于很大

摘要:

摘要:本文推导出三个全同玻色子的亲态比系数的显示式,这些公式在相互作用玻色子模型中用玻色子有效相互作用计算核谱时很有用.