摘要:本文研究准一维卤素桥接混合价含过渡金属络合物(HMMCs)中的对角和非对角电子—晶格耦合.利用Green函数方法首次计算了非对角电子—晶格耦合对极化子结合能的影响.结果表明,当同时包括对角和非对角耦合时,这种物质的基态将是电荷密度波(CDW)和键序波(BOW)共存,而以前的研究者都认为在这种物质中只存在电荷密度波(CDW).