摘要:设计了一种触发电压低于10 V，HBM耐压超过4 kV的低触发、高耐压NMOS ESD防护结构.通过带钳位的栅耦合RC网络来适当抬升ESD泄放管栅压与衬底电压.在提高泄放能力与降低触发电压的同时，依然保持了较高的二次击穿电流It，从而增强了MOS防护结构在深亚微米CMOS电路中的ESD防护能力.该结构最终在CSMC HJ018工艺流片，并通过TLP测试平台测得触发电压低于10 V，二次击穿电流3.5 A，达到设计要求.